GSM-сигнализация: производство и поставки
01:14 Новый модуль в программе обучения Mersen — «Фотоэлектрические предохранители в солнечной энергетике»
23:14 Завод «Спецкабель» принял участие в МВМС-2019
21:14 Новая опция для моделей R&S®ZNL6
19:08 Официально вместе: РАЭК стала партнёром выставки Interlight Russia | Intelligent building Russia

IRS2007S — новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon

IRS2007S — новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon представила новый 200 В драйвер управления затвором транзисторов IRS2007S, предназначенный для работы с MOSFET-транзисторами в конфигурации полумост в системах управления двигателем с низкими (24 В, 36 В и 48 В) и средними (60 В, 80 В и 100 В) напряжениями.

Драйверы обладают фирменной технологией защиты от скачков напряжения, а их входы совместимы со стандартом CMOS или TTL. Выходы драйверов имеют буферный каскад для минимизации перекрестной проводимости драйвера. «Плавающий» канал драйвера может использоваться для управления N-канальным MOSFET или IGBT-транзистором.Драйверы IRS2007S доступны в стандартных 8-контактных корпусах типа SOIC.

Ключевые характеристики:

  • выходной ток (нарастание/спад): 290 мА/600 мА;
  • напряжение затвора: 10...20 В на канал;
  • защита при пониженном напряжении для VCC и VBS;
  • 3, 5, 15 В-совместимые входы;
  • синхронная задержка сигнала в обоих каналах;
  • нечувствительность к отрицательному напряжению смещения;
  • защита от сквозной проводимости;
  • фиксированное время dead-time: 520 нс;
  • защита от ЭСР: 2 кВ, согласно HBM.

Подробнее

Источник

Читайте также