GSM-сигнализация: производство и поставки
23:14 На модернизацию электрических сетей Приморья будет направлено более 3,8 млрд рублей
21:04 Более 1700 км линий электропередачи отремонтирует «Пензаэнерго»
18:54 Около 500 электросетевых объектов получат высокий уровень обслуживания
16:44 Клеммы Phoenix Contact включены в реестр Минпромторга

IRS2007S — новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon

IRS2007S — новый 200V полумостовой драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon представила новый 200 В драйвер управления затвором транзисторов IRS2007S, предназначенный для работы с MOSFET-транзисторами в конфигурации полумост в системах управления двигателем с низкими (24 В, 36 В и 48 В) и средними (60 В, 80 В и 100 В) напряжениями.

Драйверы обладают фирменной технологией защиты от скачков напряжения, а их входы совместимы со стандартом CMOS или TTL. Выходы драйверов имеют буферный каскад для минимизации перекрестной проводимости драйвера. «Плавающий» канал драйвера может использоваться для управления N-канальным MOSFET или IGBT-транзистором.Драйверы IRS2007S доступны в стандартных 8-контактных корпусах типа SOIC.

Ключевые характеристики:

  • выходной ток (нарастание/спад): 290 мА/600 мА;
  • напряжение затвора: 10...20 В на канал;
  • защита при пониженном напряжении для VCC и VBS;
  • 3, 5, 15 В-совместимые входы;
  • синхронная задержка сигнала в обоих каналах;
  • нечувствительность к отрицательному напряжению смещения;
  • защита от сквозной проводимости;
  • фиксированное время dead-time: 520 нс;
  • защита от ЭСР: 2 кВ, согласно HBM.

Подробнее

Источник

Читайте также